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半导体器件与物理

University of Electronic Science and Technology of China via XuetangX

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Overview

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本课程的核心是以经典半导体器件为基础，讲述其深层次的物理特性，同时结合现有器件的发展潮流，给出器件发展的趋势，启迪学生的开放性思维和打下坚实的器件物理基础。

本课程的教学目的夯实研究生的器件物理基础，提升研究生的半导体器件物理的水平，通过本课程的学习，使学生掌握基本半导体器件结构以及基本器件双极性晶体管何 MOSFET 的基本工作机理和分析设计方法。

Syllabus

第一章 PN结二极管

1.1 耗尽区
1.2 电流―电压特性
1.3 结击穿
1.4 瞬变特性与噪声

第二章金属半导体接触（MS结构）

2.1 势垒的形成
2.2 电流输运过程

第三章双极性晶体管（BJT）

3.1 静态特性
3.2 微波特性

第四章金属绝缘体半导体电容（MIS结构）

4.1 理想MIS电容
4.2 硅MOS电容

第五章 MOS场效应晶体管（MOSFET)

5.1 器件的基本特性
5.2 器件按比例缩小和短沟道效应

期末考试

Taught by

Liu Ji Zhi

Tags

china

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